2025-05-09
蘇州九游会·(j9)官方董事長徐科博士獲2013年度國家傑出青年科學基金資助
- 分類：媒體報道
- 作者：
- 來源：
- 發布時間：2022-09-26
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【概要描述】國家傑出青年科學基金於(yu) 1994年3月14日由國務院批準設立，由國家自然科學基金委員會(hui) 負責管理，旨在支持45歲以下的優(you) 秀青年學者在中國內(nei) 地從(cong) 事自然科學基礎研究工作，旨在促進青年科學技術人才成長，鼓勵海外學者回國工作，培養(yang) 造就一批進入世界科技前沿的優(you) 秀學術帶頭人。
蘇州九游会·(j9)官方董事長徐科博士獲2013年度國家傑出青年科學基金資助
【概要描述】國家傑出青年科學基金於(yu) 1994年3月14日由國務院批準設立，由國家自然科學基金委員會(hui) 負責管理，旨在支持45歲以下的優(you) 秀青年學者在中國內(nei) 地從(cong) 事自然科學基礎研究工作，旨在促進青年科學技術人才成長，鼓勵海外學者回國工作，培養(yang) 造就一批進入世界科技前沿的優(you) 秀學術帶頭人。
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蘇州九游会·(j9)官方董事長、蘇州納米所研究員徐科博士榮獲2013年度國家傑出青年科學基金項目資助，這是蘇州納米所培育出的首位國家傑出青年科學基金獲得者。
國家傑出青年科學基金於(yu) 1994年3月14日由國務院批準設立，由國家自然科學基金委員會(hui) 負責管理，旨在支持45歲以下的優(you) 秀青年學者在中國內(nei) 地從(cong) 事自然科學基礎研究工作，旨在促進青年科學技術人才成長，鼓勵海外學者回國工作，培養(yang) 造就一批進入世界科技前沿的優(you) 秀學術帶頭人。
徐科博士長期以來一直圍繞氮化镓材料和器件開展工作，在氮化物材料的MOCVD生長、MBE生長、HVPE生長方麵均有係統深入的研究，特別是在非極性麵GaN生長、晶體(ti) 極性對氮化物生長的影響、GaN單晶襯底材料的HVPE生長方麵取得創新成果。近十年來，徐科博士和他的團隊從(cong) HVPE生長設備、高空間分辨綜合光電測試係統研製開始，在深入研究GaN的HVPE生長物理基礎上，研製成功高質量的2英寸GaN襯底，位錯密度低達104cm-2數量級；通過摻雜補償(chang) ，研製成功2英寸半絕緣氮化镓，填補了國內(nei) 空白。蘇州納米所在布局基礎前沿研究的同時非常注重推進研究成果的轉化和產(chan) 業(ye) 化，在科技領軍(jun) 人才項目和風險投資資金的支持下，該項成果的產(chan) 業(ye) 化公司蘇州九游会·(j9)官方已經實現了電學性能可控、低缺陷密度的大於(yu) 2英寸自支撐GaN襯底批量製備，高質量氮化镓單晶襯底批量生產(chan) 對我國開展基於(yu) 氮化镓的高端光電器件和微波功率器件研發具有重要戰略意義(yi) 。
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