射頻電子領域
Radio Frequency Electronics
基於(yu) GaN材料的射頻器件，具有高功率、高效率、耐高溫、抗輻照等優(you) 勢，是迄今最理想的半導體(ti) 射頻電子器件。
電力電子領域
Power Electronics
電力電子的主流發展趨勢，更高的電壓、更大的電流、更高的效率、更小的體(ti) 積、更高的可靠性，從(cong) 單一的功率變換到“能源路由器發展”，需要以更快的速度、以更高的效率來處理更大功率的能源。
新型顯示領域
New Display Field
氮化镓單晶：更小的尺寸、更高高分辨率，芯片波長一致性，更小的漏電流，在小電流驅動下更高的效率，同質外延MicroLED技術通向“摩爾定律”之路。
全彩激光顯示
Full Color Laser Display
發光二極管（LED）具有照明效率高、色彩豐(feng) 富、節能、使用壽命長、響應速度快、體(ti) 積小、光源堅固等一係列優(you) 點。
高功率射頻器件
High Power RF Devices
在半導體(ti) 激光器家族中，中紅外或近紅外激光器(830nm/1064nm)都是重要的組成部分，但是缺一名重要成員——短波（可見光）激光器，即藍、綠光波段的激光器。
高功率電子電力器件
High Power Electronic Power Devices
MESFET、HFET、MODFET、HBT；射頻功率晶體(ti) 管；高頻MMIC；高電壓電子器件；高溫電子器件；混合信號GaN/Si集成。
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