大功率器件專用氮化镓單晶襯底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

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Products Center

4英寸自支撐氮化镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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4英寸自支撐氮化镓晶片（鐵摻）

規格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 電阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm

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2英寸自支撐氮化镓晶片（非摻）

規格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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規格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 電阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm

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專業的高質量氮化镓襯底供應商

蘇州九游会·(j9)官方科技有限公司致力於(yu) 第三代半導體(ti) 核心關(guan) 鍵材料——氮化镓（GaN）單晶襯底的研發與(yu) 產(chan) 業(ye) 化，經過15年努力，實現了2英寸氮化镓單晶襯底的生產(chan) 、完成了4英寸產(chan) 品的工程化技術開發、突破了6英寸的關(guan) 鍵技術，現在是國內(nei) 和國際少數幾家之一能夠批量提供2英寸氮化镓單晶產(chan) 品的單位；氮化镓產(chan) 品性能綜合指標國際領先，未來3年重點實現將技術先發優(you) 勢轉化為(wei) 在全球的市場優(you) 勢。

蘇州九游会·(j9)官方科技有限公司成立於(yu) 2007年，專(zhuan) 注於(yu) 高質量氮化镓半導體(ti) 單晶材料的生長。氮化镓是第三代半導體(ti) 的代表，它是節能照明、激光投影顯示、智能電網、新能源汽車、5G通信等產(chan) 業(ye) 的核心基礎材料，預計到未來將形成萬(wan) 億(yi) 美元以上的市場規模。

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蘇州九游会·(j9)官方科技有限公司致力於(yu) 第三代半導體(ti) 核心關(guan) 鍵材料——氮化镓（GaN）單晶襯底的研發與(yu) 產(chan) 業(ye) 化，經過15年努力，實現了2英寸氮化镓單晶襯底的生產(chan) 、完成了4英寸產(chan) 品的工程化技術開發、突破了6英寸的關(guan) 鍵技術，現在是國內(nei) 和國際少數幾家之一能夠批量提供2英寸氮化镓單晶產(chan) 品的單位；氮化镓產(chan) 品性能綜合指標國際領先，未來3年重點實現將技術先發優(you) 勢轉化為(wei) 在全球的市場優(you) 勢。

蘇州九游会·(j9)官方科技有限公司成立於(yu) 2007年，專(zhuan) 注於(yu) 高質量氮化镓半導體(ti) 單晶材料的生長。氮化镓是第三代半導體(ti) 的代表，它是節能照明、激光投影顯示、智能電網、新能源汽車、5G通信等產(chan) 業(ye) 的核心基礎材料，預計到2025年將形成萬(wan) 億(yi) 美元以上的市場規模。

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